业绩果然爆了！
刚刚，国产存储芯片巨头长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）更新了招股书，其中显示，今年一季度营收同比增长719.13%，归属于母公司所有者的净利润同比大幅增长超1688%。长鑫科技还预计，2026年1—6月归母净利润500亿元至570亿元，同比大幅增长2244.03%至2544.19%。
关于业绩大幅增长的原因，长鑫科技表示，2026年1—3月，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM（动态随机存取存储芯片）产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势，同时，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，公司营业收入迅速增长。
高盛指出，管理层在业绩发布会上重点阐述了中长期发展战略，除锐意捕捉中国机遇外，亦将交易所定位为抓紧区域性增长机会的枢纽。对于2026年，管理层预期净投资收益将受香港银行同业拆息波动及外部组合赎回影响，而营运开支的增长速度可能较2025财年加快。
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一季度归母净利润暴增1688%
5月17日，长鑫科技更新了科创板IPO招股说明书（申报稿），恢复上市审核进程，公司业绩大超市场预期。
招股书显示，今年一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；净利润达330.12亿元，同比大幅增长1268.45%；实现归属于母公司所有者的净利润247.62亿元，同比大幅增长1688.30%。
长鑫科技还预计，2026年1—6月，公司实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。
长鑫科技于2025年7月完成上市辅导备案，同年12月获科创板IPO受理并披露招股书。今年3月其审核状态变更为“中止”，但据公开消息，此次中止仅为补充更新业绩数据。
招股书提到，长鑫科技2016年成立，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。公司在合肥、北京两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。根据Omdia数据，按照产能、出货量和销售额统计，该公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
在技术上，长鑫科技采取“跳代研发”，完成从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。基于Omdia数据测算，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场份额已增至7.67%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。
据招股书，2023年至2025年，长鑫科技主营业务中向前五大客户合计销售额占当期主营业务收入的比例分别为74.12%、67.30%和68.08%，直接客户主要为半导体行业知名经销商，终端客户包括，阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等。
拟募资295亿元
配资炒股根据披露，长鑫科技本次发行拟募资295亿元，投向三个项目：存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目（75亿元）、DRAM存储器技术升级项目（180亿元）、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目（90亿元），项目总投资额为345亿元。如果这一计划成功实施，长鑫科技295亿元的募资额，将位列近年科创板IPO融资额第二，排在第一的是晶圆代工龙头中芯国际，2020年的募资额为532亿元。
长鑫科技在招股书中坦言，该公司产能规模距离DRAM行业前三家国际头部厂商（三星电子、SK海力士及美光科技）仍有一定差距，且产能规模亦远低于国内庞大的市场需求。
根据招股书，2023年至2025年，长鑫科技主营业务毛利率分别为-2.19%、5.00%和41.02%。该公司表示，一方面，受持续进行大额固定资产及研发投入带来的折旧及摊销金额较高、规模效应尚未完全显现等因素影响，产品生产成本较高，另一方面，长鑫科技工艺技术水平等与三星电子、SK海力士及美光科技相比仍有一定差距，产品结构处于持续优化状态，毛利率水平与国际前三家厂商相比仍较低。
长鑫科技表示，随着本次上市募集资金建设项目的稳步推进，该公司将加速工艺升级，从而实现更低的单位成本，更强的市场竞争力及盈利能力，更有效地满足未来全球下游市场旺盛的需求，助力长鑫科技在全球DRAM市场中占据更有利的地位。
目前半导体产业链正在经历一轮全面的涨价潮。TrendForce最新数据显示，今年一季度，通用型DRAM合约价环比暴涨90%至95%，二季度预计续涨58%至63%；NAND闪存一季度合约价环比涨55%至60%，二季度预计涨幅高达70%至75%。
高盛在此前发布的报告中将2026年DRAM供需缺口预测从3.3%上调至4.9%，称其为十五年来最严重的短缺。
瑞银指出，AI驱动的HBM需求持续挤占传统DDR产能，叠加服务器换机周期与SSD需求同步爆发，全球DRAM市场供需缺口将延续至2027年第四季度，这是近三十年来未曾出现过的存储超级周期。
公开消息显示，随着全球存储芯片持续处于高景气周期，“两长”（长江存储、长鑫科技）正积极扩产。其中，长江存储正以最快速度扩产，在今年建成一座新厂的基础上，还将再建两座工厂，全部投产后总产能将翻倍，有望达到月产10万片。
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责任编辑：宋雅芳 快捷证券开户
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